11月8日,乾光电(300102)发布公告称,为充分发挥公司已有的技术优势、设备优势、工艺优势,提升产品结构,加快实现科技成果的转化,公司拟出资15.97亿元建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目,其中银行贷款8.5亿元,其余由公司以其他方式自筹出资,该项目由公司全资子公司厦门乾半导体科技有限公司(以下简称“乾半导体”)负责承办。

  根据公告内容显示,项目安排在2018年启动,2019年上半年开工建设,建设期预计22个月,2021年建成投产,2022 年实现满产运行。

  作为国内LED芯片知名厂商,乾光电主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务,主要产品为LED外延片和芯片及砷化镓太阳电池外延片及芯片。

  对于此次投资VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目,乾光电表示,“本项目建设对公司的战略发展具有重要意义,不仅推动LED芯片技术升级、拓展应用范围及高端产品国产化的需要,还可提升公司市场竞争力。”

  众所周知,我国是传统产品的造和消费大国,半导体作为新型的节能环保技术,未来3-5年将是跨越式发展的阶段,对于芯片造企业来说,必须要做好充分准备应对市场需求的快速提升,特别是对高性能低成本的芯片产品。因此,乾光电以发展高端产品倒逼整体芯片技术进步,通过高端LED芯片提高市场渗透率。而本项目建成达产后,将有利于推动高端可见光半导体LED芯片的国产化进程,降低终端应用产品的生产成本,促进产业健康发展,完善我国自主的LED产业,提升我国半导体产业的国际竞争力。

  近两年,乾光电的产品品质和知名度不断提升,市场对其产品的认可度也不断提高,但与台湾晶电等国际厂商相比,规模仍有较大的提升空间。同时,随着客户面不断拓展以及客户对高端产品需求的日益增长,乾光电现有规划的产能已无法与其市场地位相称。因此,为了提升规模效益,提高客户忠诚度,进而保持市场领先地位,乾光电扩产项目建设势在必行。

  除了重点投资高端LED芯片,VCSEL也是乾光电此次重点投资对象。

  根据资料显示,VCSEL,全名为垂直腔面发射激光器,以砷化镓半导体材料为基础研。目前,用砷化镓作的器件,具有高频、高速和光电性能,主要用于通信产业。而第三代的材料氮化镓属于宽禁带半导体材料,以其宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移率、化学性能稳定等性质和强的抗辐能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

  而砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产,技术含量高;在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛,而国内相关厂商稀缺,国家正大力支持该行业的迅速发展。乾光电凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累,通过本项目的建设,将有助于在其他市场领域的突破,对战略发展具有重要意义。

  值得一提的是,本项目投产后,预测达产后年销售收入96628.29万元,达产年利润总额23,690.91万元,达产年投资利润率17.71%,投资利税率18.63%,全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%;投资回收期6.01年。可见,项目财务效益较好,有较强的清偿债务能力。

  由于本项目的产品方案是根据行业市场现状及发展趋势结合项目具体状况定,符合市场需求和项目定位,是可行性的。再加上外延芯片的工艺技术通过自身团队研究创新,可以达到国内领先水平,符合项目技术要求。

  与此同时,本项目的实施,可以对地区的半导体发展有显的推动作用。同时,该项目的建设对厦门打造半导体高端产业集群计划的实施具有重要意义。在环境保护方面,本项目利用原有环保体系,完全可以达到环保标准,不会对环境造成影响。